Nån som kan det här med minnen?

[freddeboy]

Hur är det här med RAS & CAS & Latency Time.

Vad innebär inställningarna, vad rekommenderas.

Tackar för svar!

[nDavid]

De står väl för row adress strobe och column adress strobe.

 

Minnets innehåll måste ju uppdateras ibland för att inte innehållet ska försvinna. RAS&CAS är hur snabbt minnet kan uppdateras, mindre fördröjning ger snabbare uppdatering.

[Per Frejvall]

Det får direkt inverkan på hastigheten...

 

RAS står för Column Address Strobe.

CAS står för ROW Adrress Strobe.

 

Strobe innebär en "låsningssignal" med vars hjälp man "matar in" något i minnet, i det här fallet adressen som det skall läsas eller skrivas till.

 

Minnet är uppdelat i rader och kolumner.

För att spara ben på minneskapslar (chip) använder man samma ingångar för både rad- och kolumnadressen. Först lägger man på radadressen på ingångarna, "rycker" i RAS för att låsa adressen i chipset, sedan lägger på kolumnadressen på samma ben och rycker i CAS. Om jag inte minns fel är RAS/CAS latency hur länge man måste hålla adressen stabil innan man "strobar" in den med RAS resp CAS, alternativt hur länge den måste vara stabil efter.

[Chemist]

CAS och RAS talar om hur länge (i klockcykler för SDRAM) det tar innan adressen kan anses stabil.

 

Om RAS är x och CAS är y

Minnen är ordnat som en matris (i rader och kolumner) så man måste specificera vilken plats (cell) i matrisen man vill ha.

Först sätts både RAS och CAS ledningen till hög, sedan läggs rad adressen ut på bussen. Efter x klockcykler går RAS ledningen låg och raden avläses, hela raden är nu vald. Sedan Läggs kolumn adressen ut på bussen och man får vänta i y klockcykler (räknat från att RAS gick låg) innan CAS ledningen går låg och kolumnen kan avläsas.

Nu kan innehållet i denna cell läsas av.

 

(Det finns varianter på detta i moderna minnen, t.ex. behöver man inte sätta om RAS varje gång om man vill läsa intilliggande data)

 

Vanligast idag är CAS-3 och CAS-2 minnen, CAS-2 är snabbare och dyrare.